Что такое 3D-технология V-NAND, используемая в SSD?
0
Твердотельные накопители (SSD) хорошо подходят для того, чтобы превзойти распространенность механических жестких дисков в качестве основного хранилища для ПК и ноутбуков. То, что они предлагают, намного опережает все преимущества, которые существовали у жестких дисков до этого момента, и есть причина, почему. Используя технологию NAND и 3D V-NAND, производители SSD снижают затраты на бит и одновременно увеличивают максимальную пропускную способность чипа, тем самым позволяя им выгодно конкурировать с жесткими дисками в отделе ценообразования.
Жесткие диски являются громоздкими и используют вращающиеся магнитные диски, которые являются шумными и не такими мощными, как хотелось бы. Гениальность SSD, возможно, проявляется в отсутствие этих движущихся частей. Это позволяет OEM-производителям создавать еще более мелкие форм-факторы (меньшие, чем средний чип RAM). Что вы должны знать, так это то, что SSD вообще не воспроизводят звук и используют сравнительно меньшую мощность, чем их жесткие диски. Причина этого волшебства сводится к технологии флэш-памяти V-NAND.
Технология 3D V-NAND SSD
V-NAND или 3D V-NAND - это технология укладки на уровне ячеек, в которой несколько слоев ячейки флэш-памяти уложены вертикально и трехмерно на одном чипе NAND. Микросхемы, о которых идет речь, вертикально укладываются в 36, 48, 72 или 64, а теперь 96-слойные флеш-камеры. В этой технологии используются ячейки с зарядовой ловушкой 3D (CTF), построенные в виде пирамиды или ступенчатой ступенчатой структуры с вертикальными канальными отверстиями или более традиционной плавающей платой MOSFET.
Вертикальная укладка обеспечивает более высокую плотность ячеек в заданном объеме, чем в 2D-архитектуре. Впоследствии мы можем иметь SSD с более высокой пропускной способностью, не увеличивая объем памяти.
Кроме того, это улучшает потребление энергии между взаимосвязанными ячейками памяти. В конце концов, это позволяет создавать эффективные SSD с большей емкостью. Все это делается без сокращения литографии NAND до меньших узлов процесса.
